探傷儀器參數(shù)的調整非常重要,利用標樣管的人工缺陷調校儀器增益、相位和頻率,使其阻抗?jié)M足下述要求。

　　(1)管內(nèi)、外壁缺陷之間有相當?shù)南辔徊?以便于分析。一般若穿孔缺陷設為40°,則內(nèi)、外壁深50%的缺陷角度差約為90°較適宜。

　　(2)管內(nèi)、外壁缺陷之間相同當量的幅值比約為0.4左右。

　　(3)信噪比適中。

　　實際探傷中,對在役管在搶修或檢修期間進行渦流探傷,都有一定的時間限制,要求在較短的時間內(nèi)快速查出故障部位。使現(xiàn)場為在規(guī)定的時間內(nèi)完成任 務,而盲目加快探傷速度,過快的速度會使缺陷信號幅值變小,不易識別,易造成誤判和漏判。探傷專業(yè)人員長時間兩眼盯住計算機屏幕,較易疲勞,故每隔2~4 h應換1次班或休息片刻?，F(xiàn)場試驗中,完整正確的試驗記錄是十分重要的,不能有半點馬虎,否則前功盡棄。

　　渦流探傷檢測是以電磁感應理論為基礎的。給探頭中的激勵線圈通電流,當探頭靠近導體時,在導體中產(chǎn)生感應渦流,渦流的分布又影響著線圈周圍的磁 場,使線圈的阻抗產(chǎn)生增量δz。當導體中存在缺陷時,相當于一個等效的電流源,它在空間產(chǎn)生擾動磁場,使線卷阻抗增量δz發(fā)生變化,渦流檢測儀器根據(jù)該變 化來識別缺陷。其函數(shù)關系為z=f(ρ、μ、γ、f、x)式中,ρ為被測體的電阻率;μ為被測體的磁導率;γ為線圈與被測體尺寸因子;f為線圈激勵電流頻率;x為線圈與導體間的距離。

　　將基于阻抗分析的渦流探傷技術稱為ia-ect。近年來,鑒于渦流探傷微型探頭技術的發(fā)展和診斷缺陷的需要,而提出新的基于場量分析的渦流無損檢測 技術稱為fa-ect。目前市場上有基于ia-ect理論的單頻和多頻的渦流探傷儀,其廣泛地應用在工業(yè)生產(chǎn)中。而基于fa-ect的儀器正在研制中,國 外已有成型產(chǎn)品上市。

　　渦流探傷儀是一個相對量的儀器,它的標定要依靠標準試樣管,標準試樣管按照國標的規(guī)定必須采用與被檢管材同規(guī)格、同材質且無缺陷的管子制作。